（二）ERP结果
1.N2成分
对N2成分波幅的分析发现海拔主效应边缘显著[F（1，38）=3.98，p=0.053]，高海拔群体中的N2波幅比平原组波幅更大，如图11-2和图11-3所示。任务类型的主效应显著[F（1，38）=43.40，p＜0.001]，NoGo试次的N2波幅比Go试次更大。任务类型和电极之间的交互作用显著[F（1，35）=6.01，p=0.005]，任务类型的主效应在三个电极点都显著[Fz：t（39）=5.36，p＜0.001；FCz：t（39）=6.21，p＜0.001；Cz：t（39）=6.95，p＜0.001]，在Cz点最为明显。其他主效应及交互效应都不显著。
对N2成分的潜伏期分析发现，实验类型和组别的交互作用显著[F（1，38）=12.28，p＜0.001]，在高海拔群体的NoGo-N2潜伏期更长[F（1，38）=48.41，p＜0.001]，在Go试次上两个组被试的差异不明显，F（1，38）=0.71，p＞0.05（见表11-2）。
图11-2 事件相关电位平均值
图11-3 在Go及NoGo条件下时间锁定到N2和P3最大波幅的头皮脑电分布
表11-2 高低海拔组在三个中线电极上Go和NoGo条件下N2成分的平均波幅和平均潜伏期
续表
2.P3成分
对P3成分的波幅分析，实验类型的主效应显著[F（1，38）=125.90，p＜0.001]，在NoGo条件下P3的波幅比Go条件的波幅更大，如图11-2和图11-3所示。组别主效应显著[F（1，38）=7.01，p＜0.05]，高海拔组的P3波幅比低海拔组更小（见表11-3），其他主效应和交互效应都不显著。(https://www.daowen.com)
表11-3 高低海拔组在五个中线电极上Go和NoGo条件下P3成分的平均波幅和平均潜伏期
对P3成分的潜伏期分析发现，实验类型的主效应显著[F（1，38）=161.40，p＜0.001]，在NoGo条件下有P3潜伏期比Go条件下更长的（见表11-3），其他主效应和交互效应都不显著。
高海拔群体（LA，虚线）和低海拔群体（HA，实线）在Go和NoGo条件下脑中央电极（Fz，FCz，Cz，CPz Pz）事件相关电位平均值。
3.源定位
用sLORETA软件分析，两组被试的前额叶都强烈激活，由标准化低分辨率电磁层析成像分析，绘制两组被试脑区的NoGo-N2成分的平均激活水平，如图11-4所示。高海拔组的塔莱拉什坐标值为4.67×10-1，（X=15，Y=35，Z=55），低海拔组的为1.27E+0，（X=30，Y=40，Z=45）。
图11-4 源定位
从水平面、矢状面和冠状面来看，NoGo-N2波幅的源定位图像表现出了高海拔组（A）和低海拔组（B）的最大标准电流密度。塔来拉什坐标中的激活区为彩色。黄色表明两个海拔群体的NoGo-N2成分在前额叶（额上回和额中回）的最大区域。