4.1.3 数据存储器扩展
单片机片内数据存储器容量满足不了使用要求时，同样可采用三总线结构原则作外部并行扩展（也可以采用后述的串行存储器扩展），通常采用读写速度较快、扩展电路简单的静态数据存储器（SRAM）来实现。常见的8位芯片有6116（2KB）、62C64（8KB）、62C256（32KB）等。62C64型数据存储器引脚见图4-7，地址线数目与字节容量均与程序存储器芯片（27C64）相同，同样具有片选线
和读允许线
，只是多了一条写允许线
。片选可采用线译码法或全译码法。因要进行读/写操作，单片机的写控制线
和读控制线
要分别连接数据存储器的写允许线WE和读允许线OE，PSEN线不用。
图4-7 62C64型数据存储器引脚
外扩的数据存储器读/写时序见图4-8。读/写指令属双机器周期指令，每个机器周期含6个S状态，每个S状态有两个节拍P1和P2（详见1.2.3节）。
图4-8a为读操作时序。P2口提供外部数据存储器的高8位地址A15～A8，P0口分时提供低8位地址A7～A0。地址锁存允许信号ALE从低电平变为高电平，开始读周期。在ALE为高电平时，低8位地址有效；图中（1）表示机器周期1的S2状态，由ALE下降沿把低8位地址锁存进锁存器后，P0口浮空。图中（2）～（3）表示机器周期1的S4～S6状态，读信号
低电平有效时，P0口转为输入方式，同时外部数据存储器被选通；
上升沿时存储单元的数据输入P0口，并由CPU读入累加器，然后P0口浮空。读数据期间，取指控制线
不起作用，呈高电平状态。
图4-8b为写操作时序，与读操作过程类似。P2口同样提供数据存储器的高8位地址。ALE为高电平时，P0口分时提供的低8位地址有效；图中（1）表示机器周期1的S2状态，由ALE下降沿把低8位地址锁存进锁存器后，P0口释放作为数据线。图中（2）～（3）表示机器周期1的S4～S6状态，写信号
低电平有效时，累加器A的数据从P0口输出，在
的上升沿把数据写入外部数据存储器。写数据期间取指控制线
同样不起作用，呈高电平状态，所以取指令操作和读/写操作不会发生冲突。可采用如下两组指令对外扩的数据存储器进行读/写操作。
（1）由8位指针寻址片外256B数据存储器(https://www.daowen.com)
（2）由16位指针寻址片外64KB数据存储器
图4-9为数据存储器扩展电路示例，通过全译码法扩展3片8位62C64（8KB）静态数据存储器。其中，62C64芯片具有两种极性的片选信号线可供选择，CE1为低电平有效而CE2为高电平有效。通常采用CE1作片选信号，把CE2接高电平。图中用74HC138译码器进行地址译码，最大可供8条片选线。数据存储器62C64（1）～（3）的地址范围依次为：0000H～1FFFH，2000H～3FFFH，4000H～5FFFH。
图4-8 外扩的数据存储器读/写时序
图4-9 数据存储器扩展电路示例
