4.49  IR2130MOS、IGBT功率器件专用栅极驱动芯片

4.49 IR2130MOS、IGBT功率器件专用栅极驱动芯片

IR2130为MOS、IGBT功率器件专用栅极驱动芯片。IR2130的特点如下：

1）自动产生成上、下侧驱动所必需的死区时间（2.5μs）。

2）具有欠电压锁定功能并能及时关断六路输出。

3）可以直接驱动高达600V电压的高压系统，输出端具有dV/dt抑制功能。

4）最大正向峰值驱动电流为200mA，反向峰值驱动电流为420mA。

5）具有电流放大和过电流保护功能，同时关断六路输出。

6）2.5V逻辑信号输入兼容。

IR2130内部结构如图4-72所示。IR2130应用电路如图4-73所示。IR2130引脚介绍如下：

V_CC——输入电源。

HIN1、HIN2、HIN3、LIN1、LIN2、LIN3——输入端。

FAULT——故障输出端。

ITRIP——电流比较器输入端。

CAO——电流放大器输出端。

CA-——电流放大器反向输入端。(https://www.daowen.com)

V_SS——电源地。

VSD——驱动地。

LO1、LO2、LO3——三路低压侧输出。

VB1、VB2、VB3——三路高压侧电源端。

图4-72 IR2130内部结构

图4-73 IR2130应用电路

HO1、VS1，HO2、VS2，HO3、VS3——三路高压侧输出端。

IR2112、IR2113、IR2110特点差不多，区别在于最大V_OFFSET不同：IR2110最大500V，IR2112和IR2113最大600V。

IR2112、IR2113、IR2110延迟匹配也不一样：IR2110最大10ns，IR2112最大30ns，IR2113最大20ns。

IR2130典型应用如图4-74所示。

图4-74 IR2130典型应用