2.7.2 场效应晶体管的识别
1.结型场效应晶体管
结型场效应晶体管有栅极G、漏极D和源极S。它与普通晶体管相比较，源极S相当于发射极E，栅极G相当于基极B，漏极D相当于集电极C。其外形和引脚如图2-29所示。
图2-29 常见结型场效应晶体管的外形和引脚排列
两种结型场效应晶体管的电路符号如图2-30所示。
2.MOS场效应晶体管
MOS场效应晶体管由于栅极G和其他两极（D和S）之间隔了一层二氧化硅绝缘层，所以输入电阻极高（109Ω以上），通常称为MOS管。MOS管有N沟道、P沟道、增强型和耗尽型4种类型。其外形与电路符号如图2-31所示。(https://www.daowen.com)
图2-30 两种结型场效应晶体管的电路符号
图2-31 MOS场效应晶体管
3.VMOS场效应晶体管
N沟道VMOS场效应晶体管的引脚分别是栅极G、漏极D、源极S和衬底B，通常将衬底（又称衬极）与源极S相连，所以，从场效应晶体管的外形来看还是一个三端电路组件。其引脚的排序也是以管键为定位点，按顺时针方向依次为D、G、S。VMOS场效应晶体管的外形及电路符号如图2-32所示。
图2-32 VMOS场效应晶体管
