1.2.3　结合能位移与化学态

结合图1.5来看一下结合能位移与化学态相关图谱的关系。对于Si2p谱峰，氧化硅的能量（103.4 eV）明显高于单质硅（99.15 eV），化学位移有4 eV左右；同样，对于S1s的谱峰能量位置，如果以单质S的能量位置为0点，S2-价结合能相对单质S能量向低能位移2 eV左右，S4+、S6+价结合能相对单质S能量向高能位移，分别为4 eV和6 eV左右，很容易通过结合能信息判断化学态。

图1.4　电子与原子核之间的作用

图1.5　Si2p和S1s谱峰能量位移与化学态的关联示例(https://www.daowen.com)

（a）Si2p精细谱；（b）S1s能量位移与化学态的关系

对于有机化合物（图1.6），电负性越强的原子越易吸电子，比如O、F。所以，对C来说，与电负性越强的原子结合，C1s的结合能会向更高的能量位移，比如C—F的结合能高于C—O的结合能，C—O的结合能高于C—C的结合能。

图1.6　有机碳氧氟材料中C1 s精细谱化学位移与化学态相关示例