理论教育 石墨烯薄膜的气体吸附与电子场发射特性

石墨烯薄膜的气体吸附与电子场发射特性

时间:2023-07-01 理论教育 版权反馈
【摘要】:此装置显示,在直流电位极低时,电子自石墨烯片射出。此过程中,电子从石墨烯或碳纳米管的发射称为电子场发射。使用石墨烯片作为场发射体面临一个问题:它平铺在基底上,限制了场增强。这有助于在低阈值电场的场发射。吸附不同气体后的石墨烯薄膜表现出不同的场发射行为。

石墨烯薄膜的气体吸附与电子场发射特性

以前的电视机使用阴极射线管(CRT)。当施加很高的电压时(至2500V),这种阴极射线管会喷射出电子,电子落在荧光屏上会产生图像。这种管有两个主要缺陷,它使用非常高的直流电压,而作为结果在系统中产生了大量的热量。用高的直流电压的主要原因是需要金属的功函数用于喷射电子。大多数金属的功函数在4.89~5.16eV范围内。碳材料的功函数在4~4.5eV范围内,但由于其结构布局,功函数可减小。例如,一个圆筒状的碳管在其圆周以及管的两侧都有碳原子。据观察,存在于碳纳米管圆周上的碳,其功函数几乎为零。这意味着与其侧边相比,从它的圆周上射出电子所需的能量几乎为零(图5.2)。科学家一直在尝试定向生长碳纳米管,从而制备出一个碳纳米管垂直排列的大平板。由于它几乎不需要直流电位,可通过施加电位来发射电子,如图5.2所示。

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图5.2 当在(a)碳纳米管和 (b)垂直排列的石墨烯片上施加直流电位时,电子的流动方向

发现石墨烯之后,科学家们开始研究使用保持垂直的石墨烯片是否可达到同样的目的,即是否可将碳纳米管的电子从石墨烯片的侧边进行发射,如图5.2b所示。此装置显示,在直流电位极低时,电子自石墨烯片射出。将此用于商业应用,可用聚合物制备石墨烯复合材料,使所有石墨烯片垂直排列,从石墨烯片的一末端施加电位。经观察此法具有可行性。此过程中,电子从石墨烯或碳纳米管的发射称为电子场发射。(www.daowen.com)

场发射(FE)、场电子发射或电子场发射是同义词,即在外加电场的作用下,电子从材料的表面(图5.2)发射至真空、空气、液体或任何非导电或弱导电介质中。

使用石墨烯片作为场发射体面临一个问题:它平铺在基底上,限制了场增强。要解决这个问题,可将石墨烯片与聚苯乙烯进行复合,使石墨烯片成90°朝向,与基底表面成垂直排列(图5.2b)。这有助于在低阈值电场(约4V/μm)的场发射。

吸附不同气体后的石墨烯薄膜表现出不同的场发射行为。因此,石墨烯的选择性气体吸附可用于改造石墨烯的场发射特性[李和孙(Li,Sun),2014],例如,氮吸附并不改变石墨烯的场发射性质,而氧或二氧化碳吸附可增加开启电场,降低场发射的电流并影响石墨烯薄膜场发射的磁滞特性。因此,石墨烯气体吸附系统可用于冷阴极材料的应用。在减压下将其暴露,气体被吸附于石墨烯上,这个过程比较容易。

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