Flash的写入地址必须是偶数（FLASH机制决定的FLASH写入的时候只能是偶数地址写入，必须写入半字或字，也就是2个字节或是4字节的内容）。其过程如下所述。
1.解锁（固定的KEY值）
直接调用include"stm32f10x_flash.h"中的void FLASH_Unlock（void）函数，这个函数是官方提供的。
（1）往Flash密钥寄存器FLASH_KEYR中写入KEY1=0x45670123。
（2）再往Flash密钥寄存器FLASH_KEYR中写入KEY2=0xCDEF89AB。
2.数据操作位数
最大操作位数会影响擦除和写入的速度，其中64位宽度的操作除了配置寄存器位外，还需要在Vpp引脚外加一个8～9V的电压源，且其供电间不得超过一小时，否则FLASH可能损坏，所以64位宽度的操作一般是在量产中对FLASH写入应用程序时才使用，大部分应用场合都是用32位的宽度。
3.擦除扇区
直接调用固件库官方的函数FLASH_Status FLASH_ErasePage（uint32_t Page_Address），在写入新的数据前，需要先擦除存储区域。STM32提供了扇区擦除指令和整个FLASH擦除（批量擦除）的指令，批量擦除指令仅针对主存储区。扇区擦除的过程如下。
（1）检查FLASH_SR寄存器中的“忙碌寄存器位BSY”，以确认当前未执行任何Flash操作。
（2）在FLASH_CR寄存器中，将“激活扇区擦除寄存器位SER”置1，并设置“扇区编号寄存器位SNB”，选择要擦除的扇区。(https://www.daowen.com)
（3）将FLASH_CR寄存器中的“开始擦除寄存器位STRT”置1，开始擦除。
（4）等待BSY位被清零时，表示擦除完成。
4.写入数据
擦除完毕后即可写入数据，写入数据的过程并不是仅仅使用指针向地址赋值，赋值前还需要配置一系列的寄存器，步骤如下。
（1）检查FLASH_SR中的BSY位，以确认当前未执行任何其他的内部Flash操作。
（2）将FLASH_CR寄存器中的“激活编程寄存器位PG”置1。
（3）针对所需存储器地址（主存储器块或OTP区域内）执行数据写入操作。
（4）等待BSY位被清零时，表示写入完成。
【实例6-1】
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