8.3  变换电路中的软开关技术

进行功率变换时，除了组成电路的损耗外，还有必要考虑在SD上的损耗。SD的损耗如图2.23所示，包括SD导通时基于正向压降的通态损耗和开关过程中发生的开关损耗。前者属于器件改良的问题，在本书中不做讨论，后者在高频变换装置中影响很大，为减少这种损耗的软开关技术也在不断地研发^[6]。本书分两类来说明其最为基本的内容。