8.1.3  同步控制二极管在正激变换电路中的应用

正激变换电路广泛应用于低电压的开关电源中。在低电压回路中，为了小型化而通常采用几百kHz的工作频率，此时二极管需采用肖特基二极管（Schottoky Barrier Diode，SBD）。SBD具有0.3V左右的正向导通压降和快速反向恢复特性。但是，如图8.4所示，相同容量的同步控制MOSFET和SBD的伏安特性有很大的差别。

图8.4 MOSFET和SBD的正向导通压降比较（MOSFET：100V/148A；SBD：15V/35A）(https://www.daowen.com)

图8.5所示为适用于图4.26b所示正激变换器中的同步控制二极管的应用电路举例。多用于如计算机电源等低电压的电子电路中。从电路左边开始，首先是电容输入型直流电源SDA-7和主MOSFET，其次是代替图4.26b中二次绕组N₂的磁通复位回路，它在主MOSFET关断时，用CR并联电路吸收励磁电流，使变压器的磁通复位为零。为此，会损失微小的励磁能量。另外，在高频变压器的右侧分别配置了整流用D_r和环流用D_f的两个同步整流二极管。栅极控制电路同时控制这3个MOSFET。因此，在低电压电路中同步控制二极管的应用得到蓬勃发展。

图8.5 使用同步控制二极管的正激变换器（符号参考图4.26b）