综合问题
（1）请分析图8.5中磁通复位电路的功能与作用。
（2）在例8.1中仿真了并联谐振电路的工作过程。100A的直流输入电流由晶闸管逆变器变换成振幅为100A的方波电流，谐振电流的振幅为420A，请使用电路Q值分析其原因。
（3）如图8.9所示，请分析eC变为与ir同相位方波电压的原因。
（4）图8.6所示为电流谐振电路，图8.8所示为电压谐振电路，分析其不同点。
（5）如图8.5所示，在输出回路中，同步整流二极管Dr和同步环流二极管Df在工作时有无使电源短路的危险？为此，是否必须设置如图8.3工作波形中所表示的死区时间？
[1]体二极管的反向恢复特性与一般二极管相同，本例中MOSFET的反向恢复时间trr=120ns。参考文献：东芝：资料「パワーMOSFET電気的特性」（2009）.
[2]SDA-1的应用实例。参考文献：石井卓也：“Control IC for High Efficiency DC-DC Converter”，Panasonic Technical Journal，Vol.58，No.1，pp.8～12（2012）.
[3]为了便于分析波形，故意人为放大了死区时间所占的比例。(https://www.daowen.com)
[4]反向恢复尖峰发生的瞬间，电压全部施加到电路中的漏感上。其现象复杂，在本电路波形描述中省略了其中的电压变化过程。
[5]SDA-5的应用实例：使用新材料GaN制作的新型SD。用GIT（Gate Injection Transistor）实现kW量级电路。参考文献：田村聡之：“GaN-Based Power Devices and Their Switching Application”，Panasonic Technical Journal，Vol.58，No.1，pp.30～32（2012）.
[6]详见本书参考文献4）。
[7]谐振电路的电抗为ωsL-1/ωsC。当fs>fr时，此值为电感特征；当fs<fr时，此值为电容特征。另外，存在ωrL-1/ωrC=0。
[8]此电容的作用在于吸收不希望出现的阶跃电压，相当于一种浪涌吸收电路。本书称其为吸收电容。
[9]IGBT一定是在电流零点产生换流动作，此时并联电容的电压为零。
[10]为了便于分析波形，将二者统一称为Q，与桥式变换器的桥臂Q没有关系。