（二）ERP结果

（二）ERP结果

图16-3显示了高海拔组被试和低海拔组被试在进行中任务条件下和前瞻任务条件下ERP总平均波幅。可以看到在中线电极上两组被试都有明显的晚期正成分。

对两组被试的实验数据进行综合的PLS分析后发现了一个显著的潜变量，能够解释总体变异的 79.18％（p＜0.001）。此变异体现了两组被试在基线条件和前瞻记忆条件下ERP波幅的差异，反映出前瞻记忆负荷给进行中任务造成的波幅变化。自助法检验表明这种效应在三个时间窗是比较稳定的：150～300 ms、400～600 ms以及800～1 200 ms，在这些时间窗内，前瞻记忆条件的ERP波幅比基线条件更正，并且这些电极特征广泛分布于整个头皮，在额区、中央区、顶区和枕区等都有所体现，如图16-4、图16-5所示。

对低海拔组被试进行PLS分析后发现一个显著的潜变量，能够解释总体变异的81.33％（p＜0.001）。此变异反映了在基线条件和前瞻记忆条件下（不管是哪种反应类型）ERP波幅的差异，同样体现出前瞻记忆负荷给进行中任务造成的波幅形态变化。自助法检验表明这种差异在两个时间窗是比较稳定的，150～300 ms以及400～600 ms，在这些时间窗内，前瞻记忆条件相较于基线条件诱发了的ERP波幅更正，并且这些电极特征在前后、中央电极上都有所体现，如图16-6所示。(https://www.daowen.com)

对高海拔组被试进行PLS分析后发现一个显著的潜变量，能够解释总体变异的94.73％（p＜0.001）。和低海拔组被试类似，此变异很好的区分出了基线条件和前瞻记忆条件下的ERP波幅。自助法检验表明此差异在三个时间窗是比较稳定的：100～300 ms、400～600 ms以及800～1 200 ms。这些显著的电极特征主要分布在中央区、顶区等后部电极上。和低海拔组被试相比，高海拔组被试在前额区电极点上没有表现出前瞻负荷效应（如增强的P2和P3波幅）。

总之，对两组被试进行PLS分析都发现了前瞻记忆任务的加入增加了任务负荷，前瞻条件比基线条件诱发的波幅更正。对两组被试单独分析后发现这些波幅形态在头皮分布上的差异。低海拔组被试前瞻记忆负荷效应主要体现在前部电极上（如前额区和前中央区），而高海拔组被试更多地分布在后部电极上（如中央区、顶区和枕区），如图16-7、图16-8所示。

用方差分析法对海拔效应以及前瞻记忆负荷效应进行了进一步的分析。根据之前的相关研究，分析的重点为中线电极的P3成分[20]。这个分析主要帮助我们考察两个问题：一是高海拔移居者与低海拔世居者是否会出现类似于老化研究中发现的P3成分的前移。二是前瞻记忆任务带来的P3成分形态变化在高海拔移居者被试与低海拔世居者被试身上有何差异。分析结果发现：实验条件的主效应显著[F（1，61）=47.06，p＜0.001]，前瞻记忆条件（4.31±0.31）μV比基线条件（2.36±0.36）μV诱发了更正的P3波幅。电极的主效应显著[F（4，58）=46.13，p＜0.001]，在CPZ电极点的平均波幅（4.99±0.37）μV显著大于其他电极点（ps＜0.05）。组别与实验条件的交互作用显著[F（1，61）=6.98，p＜0.05]，在基线条件下高海拔移居者的P3平均波幅（3.20±0.50 μV）显著小于低海拔世居者（4.40±0.43 μV），但在前瞻条件下二者无差异（p＞0.05）。组别与电极的交互作用显著[F（1，61）=6.98，p＜0.05]，在前部电极FPZ上，高海拔移居者的P3平均波幅（2.65±0.44）μV显著高于低海拔世居者（1.21±0.42）μV，但在后部电极CZ、CPZ上，高海拔移居者的P3平均波幅均显著低于低海拔世居者（p＜0.05）。实验条件与电极的交互作用显著[F（4，58）=11.74，p＜0.001]，同时实验条件×电极×组别的交互作用显著[F（4，58）=6.71，p＜0.001]。事后检验显示，在基线条件下前部电极FPZ上，高海拔移居者的P3平均波幅显著高于低海拔世居者（p＜0.05），但在后部电极CZ、CPZ和PZ上，高海拔移居者的P3平均波幅均显著高于低海拔世居者（p＜0.05），在前瞻记忆条件下两组被试的电极均无显著差异（ps＞0.05），这与上述组别×电极的交互作用所显示的结果基本一致。此外，事后检验还发现低海拔世居者被试在FPZ、FZ、CZ和CPZ电极上，在前瞻记忆条件下的P3波幅都显著大于基线条件下的P3波幅（p＜0.05），但是在电极PZ上没有发现这种条件差异（p＞0.05）。同时发现高海拔移居者被试在电极FZ、CZ、CPZ和PZ上，在前瞻记忆条件下的P3波幅都显著大于基线条件下的P3波幅（p＜0.001），但是在FPZ电极上没有发现这种条件差异（p＞0.05），这表明了P3成分的前部转移。如表16-2、图16-9所示。