2.2.4　不同元素的光电子与电离截面的关系

光电离过程也是一个电子跃迁过程，任何轨道上能量低于入射光能量的电子都可以被电离（图2.20）。电离过程中产生的光电子强度与整个过程发生的概率有关，这种概率常称为电离截面（Ionization cross section，σ）。对于电离截面σ，同一原子中轨道半径越小的内壳层，其σ越大；轨道电子结合能与入射光能量越接近，电离截面σ越大，这是因为入射光总是尽可能激发更深能级中的电子；对于同一轨道，原子序数Z越大的，电离截面σ越大。

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图2.19　自旋轨道分裂原理

（a）自旋-轨道分裂原理示意图；（b）Au4f精细谱中自旋-轨道分裂峰