（1）时基周期高分辨率寄存器（Time Base Period High Resolution Register，TBPRDHR）

位15～8，TBPRDHR：取值00～FFh，周期高分辨率位。这8位包含周期值的高分辨率部分。寄存器TBPRDHR不受TBCTL [PRDLD]位影响。读该寄存器总是反映影子寄存器。写入也同样写到影子寄存器。该寄存器只在使能高分辨率周期特征时可用。

位7～0，保留位。

（2）时基周期高分辨率镜像寄存器（Time-Base Period High Resolution MirrorRegister，TBPRDHRM）

位15～8，TBPRDHR：取值00～FFh，周期高分辨率位。这8位包含周期值的高分辨率部分。

TBPRD为早期ePWM模块提供向后兼容性。镜像寄存器（TBPRDM和TBPRDHRM）允许一次访问32位写入TBPRDHR。由于TBPRD寄存器奇数存储地址的原因，不可能32位写入TBPRD和TBPRDHR。

寄存器TBPRDHRM不受TBCTL[PRDLD]位影响。写入TBPRDHR和TBPRDM访问时基周期值的高分辨率部分（低8位）。差别是不像TBPRDHR，读镜像寄存器TBPRDHRM的值是不确定的（用于TI测试）。寄存器TBPRDHRM只在ePWM模块具有高分辨率周期控制且使能高分辨率周期特征时可用。

位7～0，保留位。

（3）时基相位高分辨率寄存器（Time-Base Phase High Resolution Register，TBPHSHR）

位15～8，TBPHSHR：取值00～FEh，时基相位高分辨率位。

位7～0，保留位。

（4）高分辨率周期控制寄存器（High Resolution Period Control Register，HRPCTL）

位15～3、位1，保留位。

位2，TBPHSHR LOADE：TBPH SHR的装载使能位。通过该位可以使ePWM模块与SYNCIN，TBCTL[SWFSYNC]的高分辨率相位或数字比较时间同步。这样允许多个ePWM模块高分辨率相位对齐到相同频率。

●0：禁止ePWM模块与SYNCIN，TBCTL[SWFSYNC]的高分辨率相位或数字比较时间同步。

●1：使能ePWM模块与SYNCIN，TBCTL[SWFSYNC]的高分辨率相位或数字比较时间同步。使用高分辨率相位寄存器TBPHSHR实现相位同步。

使能在SYNCIN或TBCTL[SWFSYNC]下，用TBPHS寄存器装入TBCTR寄存器的TBCTL[PHSEN]位是独立工作的。无论如何，用户希望同时控制相位和高分辨率周期，也需要使能该位。

注意对于增减计数模式，即使TBPHSHR=0x0000，当使能高分辨率周期控制时，该位及TBCTL[PHSEN]必须设为1。

位0，HRPE：高分辨率周期使能位。

●0：高分辨率周期禁止。这种模式ePWM模块为类型0。

●1：高分辨率周期使能。这种模式下HRPWM模块可控制高分辨率占空比与频率。当高分辨率周期使能时，不支持BCTL[CTRMODE]=0，1（向下计数模式）。

（5）计数比较高分辨率寄存器（Compare A High Resolution Register，CMPAHR）

位15～8，CMPAHR：取值00～FFh。这8位包含计数比较寄存器A的高分辨率部分（低8位）。CMPA：CMPAHR可以32位读写访问。CMPA寄存器的影子功能由CMPCTL[SHDWAMODE]位使能或禁止。

位7～0，保留位。

（6）计数比较A镜像寄存器（Counter-Compare A Mirror Register，CMPAM）

这是一个16位寄存器，取值0000～FFFFh。CMPA和CMPAM都可以用于访问计数比较A的值。唯一差别是读镜像寄存器总是读回活跃寄存器值。默认写入到寄存器的影子寄存器。不像CMPA寄存器，读CMPAM总是返回活跃寄存器值。影子功能由CMPCTL[SHD-WAMODE]位使能或禁止。

●若CMPCTL[SHDWAMODE]=0，则使能了影子寄存器，那么任何写入自动写到影子寄存器。所有读出则反映了活跃寄存器的值。这种情况下，CMPCTL[LOADAMODE]位将决定哪一个事件将由影子寄存器装入到活跃寄存器。

●在写入前，可以读CMPCTL[SHDWAFULL]位，以确定影子寄存器是否已满。

●若CMPCTL[SHDWAMODE]=1，则禁止影子寄存器，任何写入直接写到活跃寄存器，即活跃寄存器直接控制硬件。

（7）HRPWM配置寄存器（HRPWM Configuration Register，HRCNFG）

位15～8，保留位。

位7，SWAPAB：交换ePWMA和B输出信号。(www.daowen.com)

●0：ePWMxA和ePWMxB输出不变。

●1：ePWMxA信号出现在ePWMxB输出，ePWMxB信号出现在ePWMxA输出。

位6，AUTOCONV：自动转换延迟线值。选择CMPAHR/TBPRDHR/TBPHSHR寄存器的分数占空比/周期/相位是由HRMSTEP寄存器的MEP定标系数自动定标，还是应用软件计算手动定标。

SFO库函数用合适的MEP定标系自动更新数HRMSTEP寄存器。

●0：自动HRMSTEP定标禁止。

●1：自动HRMSTEP定标使能。

如果应用软件是手动定标分数占空比或相位（即对占空比软件设置CMPAHR=（frac（PWM占空比∗PWM周期）∗MEP定标系数）＜＜8+0x080），那么这种模式应禁止。

位5，SELOUTB：EPWMxB输出选择位。选择哪一个信号输出到ePWMxB通道。

●0：ePWMxB正常输出。

●1：ePWMxB输出为ePWMxA信号的反相。

位4～3，HRLOAD：影子模式位。选择将CMPAHR影子值装入活跃寄存器的时间事件。

●00：在CTR=0时装入：时基计数器等于0（TBCTR=0x0000）。

●01：在CTR=PRD时装入：时基计数器等于周期（TBCTR=TBPRD）。

●10：在CTR=0或CTR=PRD时装入。

●11：保留。

位2，CTLMODE：控制模式位。选择控制微边沿位置的寄存器（CMP/TBPRD或TB-PHS）。

●0：CMPAHR（8）或TBPRDHR（8）寄存器控制边沿位置（即占空比或周期控制模式（复位默认）；

●1：TBPHSHR（8）寄存器控制边沿位置（即相位控制模式）。

位1～0，EDGMODE：边沿模式位。选择由微边沿位置（Micro-edgeposition，MEP）逻辑控制的PWM边沿。

●00：禁止HRPWM功能（复位默认）。

●01：上升沿MEP控制（CMPAHR）。

●10：下降沿MEP控制（CMPAHR）。

●11：双降沿MEP控制（TBPHSHR或TBPRDHR）。

（8）HRPWM电源寄存器HRPWR（High Resolution Power Register，HRPWR）

位15～10、位5～0，保留位。

位9～6，MEPOFF：取值0～Fh，MEP校准OFF位。当不用MEP校准时，将这些位置为1，以禁止HRPWM的MEP校准逻辑，减少电源消耗。

（9）HRPWM高分辨率MEP步寄存器（High Resolution Micro Step Register，HRMSTEP）

位15～8，保留位。

位7～0，HRMSTEP：取值00～FFh，高分辨率MEP步。当自动转换使能时（HRCNFG[AUTOCONV]=1），这8位包含MEP_ScaleFactor值（每一个粗步的MEP步数），用于硬件将寄存器CMPAHR，TBPHSHR或TBPRDHR的值自动转换到在高分辨率ePWM输出的按比例的微小边沿延迟。该数值由SFO校准软件在每次校准运行结束时写入。

例7-3 利用ePWM增计数模式在ePWM2A（GPIO2）产生高分辨率PWM波形（MEP控制），在ePWM2B（GPIO3）产生非高分辨率PWM波形。SYSCLK=50MHz，PWM频率为3MHz。