为了验证模型的有效性，本节对IGBT的稳态和开关瞬态特性进行相关的仿真和实验测试。实验采用Infineon生产的FF300R12ME3型IGBT，其主要参数见表8-4。由器件数据手册和实验结果可求得模型关键参数值，见表8-5。

表8-4 FF300R12ME3型IGBT主要参数

表8-5 IGBT模型的关键参数

1.稳态特性

稳态特性测试采用的仪器是SONY/Tektronix Curve Tracer 371 A。图8-4给出了门极驱动电压U_g=9，12，15，18V时，输出特性的仿真和实验结果。可以看出，采用拟合方法得到的模型对IGBT稳态特性的描述，与实验结果非常吻合。

图8-4 IGBT输出特性的仿真和实验结果(www.daowen.com)

2.瞬态特性

瞬态特性测试电路如图8-5所示。其中，U_c为直流母线电压，L、R为感性负载，D为续流二极管，L_s为回路等效杂散电感，U_g为栅极驱动电源，R_g为栅极外接电阻。实验中采用图8-5b的充放电式RCD缓冲吸收电路，其中点A与图8_-5a所示主回路的点A对应。

图8-5 IGBT测试电路拓扑

采用部分元等效电路（PEEC）方法，可计算出测试回路杂散电感约为L_s=1μH。在测试条件为U_c=600V，IGBT通态电流I_c（on）=200A，U_g=±15V，R_g=2.4Ω，缓冲电路参数C_s=0.15μF、R_s=15Ω。IGBT关断过程中的电压、电流实验与仿真波形如图8-6所示。

图8-6 IGBT关断时电流电压波形

可以看出，仿真结果准确，与实验结果相吻合。造成仿真误差的主要因素有：实际电路杂散电感测量的准确度，实验平台非理想元器件的影响，测量精度的影响等。