S-ICD系统的优化

1．S-ICD的不恰当放电

早期研究显示不恰当放电发生率为5%～25%，而传统ICD的发生率＜5%。研究指出不恰当放电的原因是脉冲发射器对室上性心动过速的不恰当识别、T波过感知、电极移位、肌电干扰等。常用解决的方法有：（1）植入前心电图筛查分析，EMBlEMTM S-ICD手动筛选或自动筛选均可，以选择合适植入S-ICD的患者；（2）植入后借助程控仪行T波监测筛查；（3）远期不恰当放电应通过程控算法修正。

2．无起搏和抗心动过速起搏治疗（ATP）功能

TV-ICD具有抗心动过速起搏治疗功能，因此还具有CRT功能，但S-ICD缺乏持续起搏功能，仅能提供30s左右的除颤后经胸起搏，无法通过起搏治疗室速。但并非所有室速均需要治疗，且已治疗者仅有72%有效。面对无需起搏终止的室速，S-ICD同样适用。(https://www.daowen.com)

3．电池寿命

电池寿命与ICD放电次数和并发症密切相关，第二代S-ICD平均使用年限超过7年，S-ICD除颤用80J，虽属高能除颤，但研究显示对心肌的损伤反而低于TV-ICD。

（柳永华　邹　洪　张丽萍　郭　涛）