郑耀宗（1939—）

郑耀宗，祖籍三乡平岚村，1939年2月9日出生于香港，中国微电子学专家。郑耀宗1963年香港大学毕业，获理学学士学位，1967年获加拿大卑诗大学博士学位。1978年返香港大学电机电子工程系任教，任讲座教授、工程学院院长等。1989年出任香港城市理工学院院长，后该院升格为香港城市大学，为首任校长、教授。1994年受聘为港事顾问，1995年被委任为香港特别行政区筹备委员会委员。1999年当选为中国科学院院士，同时受聘为1999年中山市科协第五届名誉主席。2000年9月辞去香港城市大学校长职务。(https://www.daowen.com)

郑耀宗长期对金属一氧化硅——硅（MOS）系统及其器件物理和工艺技术进行研究，发明掺氯化氢硅氧化技术，解决当时MOS器件和集成电路阈值电压漂移、不能稳定工作的难题，使MOS器件和电路的性能、可靠性和成品率大大提高。在国际上首先提出MOS反型层载流子表面粗糙度散射理论，在MOS集成电路进入深亚微米阶段后，这一机理成为决定MOS反型层载流子迁移率的主要因素，是对MOS器件物理的一大发展。郑耀宗是较早开展氮化硅技术的研究者，在深亚微米器件模型研究工作中取得重大成果。