索引
0～9（数字）
6台双通道平均功率计（图） 140
12支均值率计探头（图） 141
20-gap-crossing设计规则 74
A～Z，γ
Ar离子 30～32
溅射清洗对金属材料二次电子发射系数的影响（图） 32
脱吸附对二次电子发射的影响 30
CTOR谐振腔（图） 150
CW余量定义（图） 61
ESA空间射频大功率实验室多载波微放电试验系统实现方案（图）133
ESA微放电试验 124
ESA制定的微放电设计与试验标准中推荐的多载波微放电试验验证方案（图） 132
FEST3D（图） 59
f×d min实际值由SEY曲线的第一交叉点能力决定（图） 65
f×d min以下无无微放电区域（图）65
Hatch图表 57
Ku频段大功率多载波微放电效应（图） 146
MSAT 17、18
软件界面（图） 17
微放电仿真电磁粒子联合仿真算法原理（图） 18
P2部件介质充电效应 53
Q／V频段微波光路 152
RTHOR谐振腔（图） 150
SES 21
本征峰（图） 21
曲线（图） 21
SEY曲线（图） 20、37与二次电子能谱（图） 20
Sombrin和Hatch及Williams图表57
SPARK3D（图） 60
TiN薄膜 36
二次电子发射系数（图） 36
物理特性参数（表） 36
UHF频段6载波微放电试验平台实现框图（图） 134
Williams图表 57
γ射线从左侧入射到2 mm铝板，铝板右侧出射电子的能谱分布（图）111
A～B
安装在试验台上的电子枪（图）123
被测件 44、46、48
安装要求 48
试验温度 44
被测设备 67
边缘场造成电子损失 57
表面束流轰击处理法 36
表面吸附和污染物对二次电子发射系数的影响 28
表面陷阱构造法 31
表面形貌对二次电子发射系数的影响 31
不同d／l下带有边缘场效应的非稳态理论微放电计算（图） 59
不同TiN薄膜物理特性参数（表）36
不同介质材料 54
在同轴滤波器内的微放电模拟及测试对比（表） 54
在微波部件内的微放电模拟及测试对比（图） 54
C
材料最大二次电子发射系数 5
采用大功率透波真空罐实现辐射型微放电测试框图（图） 77
采用非透波真空罐的辐射型测试方法测试示意（图） 79
参考文献 157
残余物质检测法 92
测量仅有辐射源时的微放电阈值127
测量仅有自由电子源时的微放电阈值 128
测试 43～48、68、77
步骤 48
方法 46
环境 43
流程 47
装置验证 68
准备工作 47
准确性 77
测试电压驻波比环境 66
场发射 4
常见金属材料暴露于大气后电子运动平均自由程的变化（表） 29
常用微放电仿真分析工具（图）59、60
长周期放电的最坏状态（图） 11
沉积低SEY薄膜法 32
沉积生长石墨烯后衬底表面的二次电子发射系数（图） 35
衬底表面石墨烯原子力显微镜图像（图） 35
抽真空设备 45
D
大尺寸天线产品合理放置 76
大功率测试载波 77
大功率负载（图） 76
大功率匹配负载 75
大功率透波真空罐（图） 78
大功率微波部件 124、137
多载波微放电效应研究平台组成框图（图） 137
微放电试验 124
大功率微放电试验 44
大功率真空吸波箱（图） 79
单介质表面微放电（图） 39
单载波多频测试 60
单载波射频系统例子（图） 66
单载波微放电 51、73
理论 73
阈值考核余量（表） 51
导电样品 25
等效功率 60、62
单载波多频测试 60
多载波测试 62
地面测试注意事项 66
第一类微波部件 134、136
不同阶段多载波微放电考核余量（表） 134
多载波微放电考核流程（图）136
典型材料最大二次电子发射系数（表） 5
典型二维Sombrin（图） 58
典型准光腔测量系统（图） 151
电磁粒子联合仿真软件 17
电子产生子系统 141
电子枪 121～123
功能示意（图） 123
加载种子电子示意（图） 122
结构示意（图） 123
能量 122
电子收集器结构示意（图） 24
电子数涨落（图） 11
电子损失 56、57
电子探针 90、91
检测法 90
检测原理（图） 91
电子源 103、126
电子在铝材料中穿过的最大直线距离与能量之间的关系（图） 109
镀银样品单位面积脱附量与样品加热温度关系（图） 29
多工器合成子系统 141
多通道信号生成子系统实物（图）138
多载波微放电20-gap-crossing规则 74
多载波测试 60、62方法 60
多载波微放电 10、、134～137
等效单载波验证方法 134
直接验证方法 135
多载波微放电检测 130、131
研究现状 131
多载波微放电考核 134、136
流程（图） 136
余量（表） 134
多载波微放电试验 132、133
系统实现方案（图） 133
验证方案（图） 132
E
二次电子 5、20、25、26
电流脉冲测试示意（图） 25
渡越时间 5
能谱（图） 20
收集 26
二次电子发射 18～22、30
概念 18
能力 19
特性 22
特性测量 22
影响 29、30
原理（图） 19
二次电子发射系数 22、26、27、30、31、35（图）
测量 26
测试 22
峰值和功函数随样品温度和脱附量的变化规律（图） 31
偏压电流法测试原理（图）27
与试验结果对比（图） 30
二次电子发射系数影响 25、28、31因素 25
F
反向电压梯度配置中三点放电示意（图） 55
放电类型 55
非辐射型大功率匹配负载 75
非辐射型检测 75
非稳态理论 58、59
微放电计算（图） 59
应用 58
辐射型测试方法测试示意（图）79
辐射型检测 75
辐射型试验吸波暗室 76
辐射型微波部件微放电试验 78
辐射型微放电测试框图（图） 77
辐射源 106、111、12～128
对比分析 111
加载种子电子示意（图） 106
辐射源与紫外光源 128、129
测量微放电阈值（图） 129
对比试验 128
对三种不同样品测试对比（表）128
辐射源与自由电子源对比 125、127
试验 125
G
概述 1
高低温试验 45、77
设备 45
设计 77
功率测量 139
功率测量与校准子系统 139～141
实物（图） 140、141
功率放大子系统（图） 140
构造规则图形（图） 33
固定极板间尺寸的微放电功率电压和噪声功率电压之间关系（图）86
光电倍增检测安装示意（图） 90
光电倍增检测法 89
光电发射 5
国内外微放电检测标准 42
H
航天器 5、104
空间环境 104
排气 5
毫米波频段微放电 10
毫米波微放电 147、149
发生机制和理论建模研究 147
效应关键因素试验诊断研究149
毫米波微放电检测 147、152
系统原理（图） 152
毫米波准光腔设计与优化 153
合格／不合格标准 70
横向扩散导致电子损失 56
互调分量检测法 99、100
测试原理框图（图） 100
活度为75 MBq的铯-137辐射源在100μs内β衰变产生的电子能谱（图） 110
活度为75 MBq的锶-90辐射源在100μs内 108、109
产生的电子能谱（图） 108
进入2 mm铝质微波部件的电子能谱（图） 109
活度为75 MBq的锶-90和铯-137
辐射源在100μs内穿过2mm铝板后产生种子电子特性比较（表）112
J
击穿检测方法 67
击穿设备 68
基于互调分量的检测法 99
基于准光腔结构的毫米波微放电149、152
检测系统原理（图） 152
效应关键因素试验诊断研究149
极法测试收集原理（图） 27
加热脱吸附对二次电子发射的影响 29
加载介质样品的准光腔示意（图）153
加载种子电子 69
检测初始电子源 79
检测基本条件 72
检测结构 156
检测输入信号 72
校准子系统 139、141
阶数 74
介质表面微放电（图） 39
介质材料 3、23
表面带电原理示意（图） 3
二次电子发射特性研究平台结构示意（图） 23
介质-介质微放电（图） 39
介质-金属微放电（图） 39
介质微波部件 2
金属材料暴露于大气后电子运动平均自由程的变化（表） 29
金属材料二次电子发射系数 26、27、32
测量 26
测量设备（图） 27
影响（图） 32
金属逸出功与极限波长（表） 115
近载波相位噪声检测法 97
近载波噪声检测法 92、93系统框图（图） 93
经典理论计算的微放电敏感曲线（图） 12
局部检测法对比 92、92（表）
聚焦反射镜1设计与优化 153
聚焦反射镜2设计与优化 155
K～M
抗负感单芯光缆 118、119
标准实物（图） 119
可调微波衰减器设计与优化 152
理论分析 56、124
两种辐射源对比分析 111
铝合金镀银样片以及沉积铂样片的SEY曲线（图） 37
脉冲 61、68、69
测试 68
长度 69
模型（图） 61
美国微放电检测标准 63
O～Q
欧洲微放电检测标准 50
偏压电流法 28
平台测量Cu材料SEY与谢爱根测量结果对比（图） 28
平台电子收集器 24
平行板间的微放电可能发生区域（图） 6
平行板间高阶放电示意（图） 12
前后向功率检测法 94
全局检测法 92
S
三点放电示意（图） 55
三维数值射频电磁计算软件分析 58
铯-137辐射源 109
设置验证 68
时域波形（图） 11
试验 44、125
场地 44
分析 125
仪器及设备 44
收集极法 28
数据 48、70
采集 70
判读 48
双金属表面微放电发生过程示意（图） 2
锶-90 106、107
辐射源 106
衰变（图） 107
T
太阳事件引发卫星事件过程示意（图） 4、105
调幅检测法 98
检测微放电效应原理框图（图）98
调零单元示意（图） 96
调零检测法 95
系统框图（图） 95
调零检测分析仪原理（图） 143
同轴滤波器（图） 53
透波真空罐体 45
W
微波部件 50～52
不同阶段单载波微放电阈值考核余量（表） 51
类型 50
微放电考核流程（图） 52
微波功率监测 156
微波试验设备 46
微波信号半周期奇数倍 5
微放电测试 47、67
检测方法 67
流程（图） 47
验证需求 67
微放电产生 1、13、88
机理研究 13
条件 1
微放电仿真 16、17、59
分析工具（图） 59
软件 16、16（图）
设计方法 16
与分析平台MSAT软件界面（图） 17
微放电分析模型 56
微放电概念 1
微放电功率电压和噪声功率电压之间关系（图） 86
微放电计算器 16
微放电检测 12、42、80、89、103、130、142、156
标准 41、42
基本原理 80
试验电子源 103
系统基本原理框图（图） 89
研究进展 12、130
子系统 142
微放电检测方法 72、88、100、101
分析对比（表） 101
选择 88
总结 100
微放电检测技术 7、14
研究背景 7
与设备研制 14
微放电间隙 64
微放电局部检测法 89
微放电考核 50、52
方法 50
余量 52
微放电可能发生区域（图） 6
微放电敏感频率选择 63
微放电敏感曲线 12（图）、16
微放电模拟及测试对比（表） 54
微放电前后信号及谐波的典型波形（图） 82
微放电全局检测法 92
微放电设计分析 56
微放电设计验证方法 15、37
微放电试验 8、42、45、105、114
目的 42
验证必要性 8
种子电子源 105
紫外光源 114
微放电危害 7
微放电系统分析要求 64
微放电效应 5、8
引发的其他放电效应对微波部件的损坏（图） 8
微放电研究 10、13
内容 13
趋势 10
微放电引起多载波信号互调分量 83
微放电引起谐波分量 80
微放电引起信号近载波噪声变化 84
微放电引起信号相位变化 85、87（图）
微放电阈值 125（表）、127、129（图）、155
检测系统真空腔内关键部件设计优化 155
微放电噪声变化试验框图（图）85
微放电种子电子源对比 124
微放电自动调零检测分析仪（图）143
微放电最低标准 63
微绒泡沫表面（图） 34
微绒阵列（图） 34
未清洗镀银在不同加热温度时二次电子发射系数与试验结果对比（图） 30
温度要求 70
X
吸波暗室 76
系统搭建及标定要求 48
系统集成 146
系统软件主控界面 144、145（图）
系统主控软件 144
先加自由电子源，再去掉 127
先用放射源，再用电子源 126
先用辐射源，再用自由电子源 127
先用自由电子源，再用辐射源 126
相位控制子系统现场实物（图）139
相位噪声测试 97、98
系统示意（图） 98
原理（图） 97
小结 14、40、71、102、129、156
谐波测试试验框图（图） 81
谐波分量 80
谐波检测法 93、94
系统框图（图） 94
信号放大子系统 139
信号和调制能量与放电能量之间的关系（表） 83
绪论 1
Y～Z
研究平台（图） 146
整体（图） 146
正面（图） 146
有无辐射源或自由电子源时测量的微放电阈值（表） 125
与P2和P3部件相关的其他放电类型 55
圆柱形微孔阵列（图） 33
噪声功率 85
占空比 68
真空 69
真空度 43
要求 43
真空罐实物（图） 144
真空环境 1
真空模拟子系统 144
真空条件 3
中国微放电检测标准 43
种子电子源 105
周期内放电的最坏状态（图） 11
准光腔 150～154
测量系统（图） 151
电磁场分布模拟结果（图）154
示意（图） 153
微放电测试 150
准光腔结构 149、153
毫米波微放电效应关键因素试验诊断研究 149
准光谐振结构 149
准光学谐振腔结构模型（图） 150
紫外光波长论证 115
紫外光源 112～121、128
产生电子机理 112
产生自由电子示意（图） 114
加载种子电子示意（图） 114
系统及配套的电子浓度检测系统搭建 117
系统技术指标 115
用于微放电试验的加载方法119
自由电子源产生系统组成（图）117
作为微放电初始电子源（图）121
紫外弧光灯 117、118（图）
灯箱 117、118（图）
电源 117、118（图）
紫外激光源 142
产生种子电子的测量（图）142
设备（图） 142
紫外线灯与试验台（图） 119
自动控相信号产生子系统 136、137组成框图（图） 137
自由电子 4、44、45、80、116
产生方法 80
产生设备 45
数量论证 116
自由电子源 4、126～128
最大二次电子发射系数 5、5（表）
最小频率间隙乘积准则 64
（王彦祥、张若舒 编制）