18.7.7 电力半导体器件用钼圆片（JB／T 9687.1—1999）
1.电力半导体器件用钼圆片的直径和厚度
电力半导体器件用钼圆片的直径和厚度见表18-121。其中，直径D的允许偏差为0－0.10mm，厚度δ的允许偏差为±0.10mm。
表18-121 电力半导体器件用钼圆片的直径和厚度（JB／T 9687.1—1999）（单位：mm）
注：括号内为保留尺寸，不推荐使用。(https://www.daowen.com)
2.电力半导体器件用钼圆片的质量要求（表18-122）
表18-122 电力半导体器件用钼圆片的质量要求（JB／T 9687.1—1999）
