二、选择题

2025年09月26日

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二、选择题

（将正确答案的序号填入括号内）

1.本征半导体掺入五价元素成为（）。

A.本征半导体 B.N型半导体 C.P型半导体 D.以上均不是

2.N型半导体的多数载流子是（）。

A.自由电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子

3.P型半导体中的多数载流子是（）。

A.自由电子 B.空穴 C.正离子 D.负离子

4.稳压二极管工作在（）状态。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 D.任何状态

5.锗二极管的导通电压和死区电压分别为（）。

A.0.7V和0.5V B.0.2V和0.5V C.0.3V和0.2V D.0.5V和0.7V

6.硅二极管的导通电压和死区电压分别为（）。

A.0.7V和0.5V B.0.2V和0.5V C.0.3V和0.2V D.0.5V和0.7V

7.变容二极管是利用（）可变原理制成的半导体器件。

A.PN结电阻 B.PN结电流 C.PN结电压 D.PN结电容

8.二极管导通的条件是（）。

A.正向电压大于死区电压 B.正向电压小于死区电压

C.反向电压大于击穿电压 D.反向电压小于击穿电压

9.NPN型晶体管具有电流放大作用的外部条件是（）。

A.发射结正偏、集电结正偏 B.发射结正偏、集电结反偏

C.发射结反偏、集电结正偏 D.发射结反偏、集电结反偏

10.PNP型晶体管具有电流放大作用的外部条件是（）。

A.发射结正偏、集电结正偏 B.发射结正偏、集电结反偏

C.发射结反偏、集电结正偏 D.发射结反偏、集电结反偏

11.晶体管的集电极-基极反向饱和电流I_cb0大，说明其（）。

A.工作电流大 B.击穿电压高 C.使用寿命长 D.热稳定性差

12.晶体管的穿透电流I_ce0大，说明其（）。

A.工作电流大 B.击穿电压高 C.使用寿命长 D.热稳定性差

13.场效应晶体管的三个电极是栅极、漏极和（）。

A.源极 B.正极 C.负极 D.基极

14.场效应晶体管具有（）、恒流区、击穿区和截止区四个工作状态。

A.恒电阻区 B.可变电阻区 C.恒压区 D.可变电压区

15.晶体管放大电路分为共发射极、共基极和（）三大类。

A.共集电极 B.共漏极 C.共栅极 D.共源极

16.晶体管放大电路的分析方法有估算法、图解法和（）。

A.计算法 B.波形法 C.等效电源法 D.等效电路法

17.直流负载线是由集电极电源E_c和（）确定的。

A.晶体管V B.基极电源E_b C.集电极电阻R_c D.基极电阻R_b

18.场效应晶体管放大电路分为共源极、共漏极和（）三大类。

A.共栅极 B.共集电极 C.共发射极 D.共源极

19.直接耦合放大电路中前级晶体管的（）与后级晶体管基极直接相连。

A.基极 B.发射基 C.集电极 D.三者均可

20.按反馈的极性不同，反馈可分为（）两种。

A.正反馈和负反馈 B.电压反馈和电流反馈

C.串联反馈和并联反馈 D.直流反馈和交流反馈

21.按输出端取样方式不同，反馈可分为（）两种。

A.正反馈和负反馈 B.电压反馈和电流反馈

C.串联反馈和并联反馈 D.直流反馈和交流反馈

22.按输入端连接方式不同，反馈可分为（）两种。

A.正反馈和负反馈 B.电压反馈和电流反馈

C.串联反馈和并联反馈 D.直流反馈和交流反馈

23.按反馈信号的性质不同，反馈可分为（）两种。

A.正反馈和负反馈 B.电压反馈和电流反馈

C.串联反馈和并联反馈 D.直流反馈和交流反馈

24.功率放大电路的效率是（）输出的交流功率与电源直流功率之比。

A.基极 B.集电极 C.发射极 D.三者之和

25.单管功率放大电路的效率不大于（）。

A.40% B.50% C.60% D.70%

26.推挽功率放大电路由两个型号（）、参数（）的晶体管共同组成。

A.相同相近 B.相同不同 C.不同相近 D.不同不同

27.推挽功率放大电路中两晶体管的基极输入信号是（）。

A.大小相等相位相同 B.大小相等相位相反

C.大小不等相位相同 D.大小不等相位相反

28.互补功率放大电路由两个型号（）、参数（）的晶体管共同组成。

A.相同相近 B.相同不同 C.不同相同 D.不同不同

29.差动放大电路中差模信号是指两输入信号的大小（）、极性（）。

A.相等相反 B.相等相同 C.不等相反 D.不等相同

30.差动放大电路中共模信号是指两输入信号的大小（）、极性（）。

A.相等相反 B.相等相同 C.不等相反 D.不等相同

31.集成运放通常由输入级、中间级、输出级和（）四部分组成。

A.偏置电路 B.放大电路 C.差动电路 D.反馈网络

32.集成运放的输入级一般都采用具有（）的差动放大电路。

A.恒压源 B.恒流源 C.偏置电阻 D.偏置电容

33.理想运算放大器的开环电压放大倍数应趋于（）。

A.0 B.1 C.∞ D.无法确定

34.理想运算放大器的共模输入电阻应趋近于（）。

A.0 B.1 C.∞ D.无法确定

35.理想运算放大器的开环输出电阻应趋于（）。

A.0 B.1 C.∞ D.无法确定

36.理想运算放大器的共模抑制比应趋近于（）。

A.0 B.1 C.∞ D.无法确定

37.集成运放工作在线性区时，可对信号进行加减、微分和（）运算。

A.乘除 B.积分 C.比例 D.比较

38.目前常用的直流稳压电路有并联型、串联型和（）稳压电路。

A.开关型 B.π型 C.RC型 D.LC型

39.晶闸管的三个电极分别是阳极、阴极和（）。

A.基极 B.门极 C.漏极 D.源极

40.LC振荡电路的振荡频率f₀=（）。

A. B. C. D.无法确定

41.振荡电路之所以能够获得单一频率的正弦波输出信号，是因为振荡电路中存在（）。

A.选频电路 B.偏置电路 C.放大电路 D.交流负载

42.振荡电路要能够产生正弦波振荡，其电路的组成必须包含（），且缺一不可。

A.选频电路、放大电路 B.放大电路、反馈电路

C.选频电路、负反馈电路和放大电路 D.选频电路、正反馈电路和放大电路

43.正弦波振荡电路的开环电压放大倍数为A_u，反馈系数为F，该振荡电路要能自行建立振荡，其幅值条件必须满足（）。

A.|A_uF|=1 B.|A_uF|<1 C.|A_uF|>1 D.无法确定

44.集成运放的主要参数中，不包括（）。

A.输入失调电压 B.开环电压放大倍数

C.最大工作电流 D.共模抑制比

45.差模输入信号是两个输入信号的（）。

A.差B.和 C.比值 D.平均值

46.共模输入信号是两个输入信号的（）。

A.差B.和 C.比值 D.平均值

47.由集成运放组成的（）输入运算放大器，其输入电流基本上等于流过反馈电阻的电流。

A.同相 B.反相 C.积分 D.微分

48.由集成运放组成的（）输入运算放大器，其输入电流几乎等于0。

A.同相 B.反相 C.积分 D.微分

49.输出量与若干个输入量之和成比例关系的是（）运算放大器。

A.加法 B.减法 C.积分 D.微分

50.（）运算放大器可将方波电压转换成三角波电压。

A.加法 B.减法 C.积分 D.微分

51.由集成运放构成的放大电路调零和消振应在（）进行。

A.加信号前 B.加信号后

C.自激振荡情况下 D.以上情况都不行

52.单相半波整流电路中要用到（）只整流二极管。

A.1 B.2 C.4 D.6

53.单相全波整流电路中要用到（）只整流二极管。

A.1 B.2 C.4 D.6

54.单相桥式整流电路中要用到（）只整流二极管。

A.1 B.2 C.4 D.6

55.三相半整流电路中要用到（）只整流二极管。

A.2 B.3 C.6 D.8

56.三相桥式整流电路中要用到（）只整流二极管。

A.2 B.3 C.6 D.8

57.单相半波整流电路中流过每个二极管的平均电流等于负载电流的（）倍。

A.1 B.1/2 C.1/3 D.1/4

58.单相全波整流电路中流过每个二极管的平均电流等于负载电流的（）倍。

A.1 B.1/2 C.1/3 D.1/4

59.单相桥式整流电路中流过每个二极管的平均电流等于负载电流的（）倍。

A.1 B.1/2 C.1/3 D.1/4

60.三相半波整流电路中流过每个二极管的平均电流等于负载电流的（）倍。

A.1 B.1/2 C.1/3 D.1/4

61.三相桥式整流电路中流过每个二极管的平均电流等于负载电流的（）倍。

A.1 B.1/2 C.1/3 D.1/4

62.单相半波整流电路直流输出电压等于变压器二次电压有效值的（）倍。

A.0.45 B.0.9 C.1.17 D.2.34

63.单相全波整流电路直流输出电压等于变压器二次电压有效值的（）倍。

A.0.45 B.0.9 C.1.17 D.2.34

64.单相桥式整流电路直流输出电压等于变压器二次电压有效值的（）倍。

A.0.45 B.0.9 C.1.17 D.2.34

65.三相半波整流电路直流输出电压等于变压器二次电压有效值的（）倍。

A.0.45 B.0.9 C.1.17 D.2.34

66.三相桥式整流电路直流输出电压等于变压器二次电压有效值的（）倍。

A.0.45 B.0.9 C.1.17 D.2.34

67.不能用于滤波的元件是（）。

A.电容 B.电感 C.电阻 D.二极管

68.电容滤波电路中放电时间常数越（），滤波效果越好。

A.小 B.大 C.无法确定

69.电感滤波电路中电感值越（），滤波效果越好。

A.小 B.大 C.无法确定

70.电容滤波电路只适用于负载变动较（）的场合。

A.小 B.大 C.无法确定

71.电感滤波电路只适用于负载变动较（）的场合。

A.小 B.大 C.无法确定

72.晶闸管是一种工作在（）状态下的大功率半导体器件。

A.开路 B.短路 C.开关 D.放大

73.晶闸管不能应用于（）方面。

A.整流 B.变频 C.滤波 D.调压

74.下列选项中，（）不是晶闸管的主要特点。

A.功率放大倍数高 B.控制作用强

C.不能控制大电流 D.能控制高压电路的通断

75.晶闸管的内部结构由（）层半导体构成。

A.2 B.3 C.4 D.5

76.晶闸管内部具有（）个PN结。

A.2 B.3 C.4 D.5

77.晶闸管具有（）个电极。

A.2 B.3 C.4 D.5

78.晶闸管的主要参数不包括（）。

A.维持电流I_H B.通态平均电压U_T

C.门极触发电压U_G D.阳-阴极电压U_AK

79.KP50-10型晶闸管的断态重复峰值电压是（）V。

A.10 B.50 C.100 D.1000

80.为了保证晶闸管可靠触发，其门极触发电压的实际值应（）U_G。

A.小于 B.大于 C.等于 D.无法确定

81.晶闸管阳极伏安特性是指（）之间的关系。

A.阳-阴极电压和阳极电流 B.阳-阴极电压和门极电流

C.阳-阴极电压和阴极电流 D.以上均不对

82.晶闸管门极伏安特性是指（）之间的关系。

A.门-阴极电压和门极电流 B.阳-门极电压和门极电流

C.阳-阴极电压和门极电流 D.以上均不对

83.（）是指在额定结温和门极断开的条件下，晶闸管处于正向阻断状态时，允许重复加在阳-阴极间的最大正向峰值电压。

A.断态重复峰值电压 B.反向重复峰值电压

C.通态平均电压 D.门极触发电压

84.（）是指在额定结温和门极断开的条件下，允许重复加在阳-阴极间的反向峰值电压。

A.断态重复峰值电压 B.反向重复峰值电压

C.通态平均电压 D.门极触发电压

85.（）是指在规定的环境温度和标准散热条件下，晶闸管阳极与阴极两端的电压降在一个周期内的平均值。

A.断态重复峰值电压 B.反向重复峰值电压

C.通态平均电压 D.门极触发电压

86.（）是指室温下晶闸管阳-阴极间加6V正向电压，使其从关断变为完全导通所需的最小门极直流电压。

A.断态重复峰值电压 B.反向重复峰值电压

C.通态平均电压 D.门极触发电压

87.在单相半波可控整流电路中，触发延迟角α与导通角θ之和等于（）。

A.π/6 B.π/3 C.π/2 D.π

88.在单相半波可控整流电路中，触发延迟角α越小，输出电压的平均值U_L越（）。

A.小 B.大 C.不变 D.无法确定

89.单相半控桥式整流电路中采用了（）只整流二极管和（）只晶闸管。

A.1 3 B.2 2 C.3 1 D.以上均可

90.单相半控桥式整流电路中晶闸管采用共（）接法。

A.阴极 B.阳极 C.门极 D.以上均可

91.属于数字电路特点的是（）。

A.既具算术运算功能，又具逻辑预算功能

B.只具算术运算功能，不具逻辑预算功能

C.不具算术运算功能，只具逻辑预算功能

D.既不具算术运算功能，也不具逻辑预算功能

92.属于数字电路特点的是（）。

A.实现简单，可靠性高 B.实现复杂，可靠性高

C.实现简单，可靠性低 D.实现复杂，可靠性低

93.属于数字电路特点的是（）。

A.集成度高，功能容易实现 B.集成度高，功能不易实现

C.集成度低，功能容易实现 D.集成度低，功能不易实现

94.数字电路按（）划分，可分为分立元件电路和集成电路。

A.组成结构 B.所用器件 C.逻辑功能 D.以上均不对

95.数字电路按（）划分，可分为双极型电路和单极型电路。

A.组成结构 B.所用器件 C.逻辑功能 D.以上均不对

96.数字电路按（）划分，可分为组合电路和时序电路。

A.组成结构 B.所用器件 C.逻辑功能 D.以上均不对

97.晶体管集电极电流从加入正脉冲开始到上升为饱和电流的1/10所需的时间叫做（）。

A.延迟时间t_d B.上升时间t_r C.存储时间t_s D.下降时间t_f

98.晶体管集电极电流从0.1倍饱和电流上升到0.9倍饱和电流所需的时间叫做（）。

A.延迟时间t_d B.上升时间t_r C.存储时间t_s D.下降时间t_f

99.从输入信号下降到最低值到晶体管集电极电流下降到0.9倍饱和电流所需的时间叫做（）。

A.延迟时间t_d B.上升时间t_r C.存储时间t_s D.下降时间t_f

100.晶体管集电极电流从0.9倍饱和电流下降到0.1倍饱和电流所需的时间叫做（）。

A.延迟时间t_d B.上升时间t_r C.存储时间t_s D.下降时间t_f

101.晶体管导通时间t_on与延迟时间t_d、上升时间t_r之间的关系是（）。

A.t_on=t_d+t_r B.t_on=t_d-t_r C.t_on=t_r-t_d D.三者均不对

102.晶体管关段时间t_off与存储时间t_s、下降时间t_f之间的关系是（）。

A.t_off=t_s+t_f B.t_off=t_s-t_f C.t_off=t_f-t_s D.三者均不对

103.逻辑电路中的正逻辑是用1表示（），用0表示（）。

A.高电平低电平 B.低电平高电平

C.高电平高电平 D.低电平低电平

104.逻辑电路中的负逻辑是用1表示（），用0表示（）。

A.高电平低电平 B.低电平高电平

C.高电平高电平 D.低电平低电平

105.与门的逻辑表达式为（）。

A.Z=AB B.Z=A+B C. D.三者均不对

106.或门的逻辑表达式为（）。

A.Z=AB B.Z=A+B C. D.三者均不对

107.非门的逻辑表达式为（）。

A.Z=AB B.Z=A+B C. D.三者均不对

108.不属于三种最基本的逻辑门是（）。

A.与门 B.或门 C.非门 D.与非门

109.“有0出0，全1出1”是（）口诀。

A.与门 B.或门 C.非门 D.与非门

110.“有1出1，全0出0”是（）口诀。

A.与门 B.或门 C.非门 D.与非门

111.不属于复合逻辑门是（）。

A.与非门 B.或非门 C.与或非门 D.与门和非门

112.与非门的逻辑表达式为（）。

A. B. C.Z=A⊕B D.Z=A⊙B

113.或非门的逻辑表达式为（）。

A. B. C.Z=A⊕B D.Z=A⊙B

114.异或门的逻辑表达式为（）。

A. B. C.Z=A⊕B D.Z=A⊙B

115.同或门的逻辑表达式为（）。

A. B. C.Z=A⊕B D.Z=A⊙B

116.TTL与非门电路由一个多（）晶体管和其他元器件共同组成。

A.基极 B.集电极 C.发射极 D.三者均可

117.不属于逻辑函数三个常用基本规则的是

A.代入规则 B.对偶规则 C.顺序规则 D.反演规则

118.与普通代数相比，逻辑代数具有的特殊定律是（）。

A.交换率 B.结合律 C.同一律 D.分配率

119.与普通代数一样，逻辑代数具有的相似定律是（）。

A.交换率 B.还原律 C.同一律 D.摩根定率

120.不是逻辑函数表示方法的是（）。

A.逻辑图 B.卡诺图 C.分布图 D.时序图

121.不是数字电路基本部件的是（）。

A.定时器 B.计数器 C.寄存器 D.译码器

122.基本RS触发器是由两个（）交叉耦合构成的。

A.与门 B.非门 C.或门 D.与非门

123.基本RS触发器要避免（）的输入方式。

A.R、S均为0 B.R、S均不为0 C.R、S均为1 D.R、S均不为1

124.不属于基本RS触发器逻辑功能的是（）。

A.置0 B.置1 C.保持 D.计数

125.计数器中触发器的输出频率不可能是计数脉冲频率的（）。

A.1/2 B.1/3 C.1/4 D.1/8