D.4 存储器
1.6116
（1）芯片介绍 6116是2KB 8位静态随机存储器芯片，采用CMOS工艺制造，单一+5V供电，额定功耗160mW，典型存取时间200ns，24线双列直插式封装。
（2）引脚说明（图D-8）
A0～A10：地址输入线。
O0～O7：双向三态数据线，有时用D0～D7表示。
：片选信号输入端，低电平有效。
E：读选通信号输入线，低电平有效。
：写选通信号输入线，低电平有效。
图D-8 6116芯片引脚图
VCC：工作电源输入引脚，+5V。
GND：地。
2.6264
（1）芯片介绍 6264是8KB 8位静态随机存储器芯片，采用CMOS工艺制造，单一+5V供电，额定功耗200mW，典型存取时间200ns，28线双列直插式封装。
（2）引脚说明（图D-9）
A0～A12：地址输入线。
O0～O7：双向三态数据线，有时用D0～D7表示。
：片选信号输入端，低电平有效。
：读选通信号输入线，低电平有效。
：写选通信号输入线，低电平有效。
VCC：工作电源输入引脚，+5V。
NC：为空引脚。
CS：第二选片信号引脚，高电平有效。
GND：线路地。
图D-9 6264芯片引脚图
3.62256
（1）芯片介绍 6264是32KB 8位静态随机存储器芯片，采用CMOS工艺制造，单一+5V供电，额定功耗300mW，典型存取时间200ns，28线双列直插式封装。
（2）引脚功能（图D-10）
A0～A14：地址输入线。
O0～O7：双向三态数据线，有时用D0～D7表示。
：片选信号输入端，低电平有效。
：读选通信号输入线，低电平有效。
：写选通信号输入线，低电平有效。
VCC：工作电源输入引脚，+5V。
GND：线路地。
图D-10 62256芯片引脚图
4.2716
（1）芯片介绍 2716是2KB 8字节的紫外线擦除、电可编程只读存储器，单一+5V供电，工作电流为75mA，维持电流为35mA，读出时间最大为250ns，24脚双列直插式封装。
（2）引脚说明（图D-11）A0～A10：13根地址线，可寻址8K字节。O0～O7：数据输出线。
：片选线。
：数据输出选通线。
PGM：编程脉冲输入端。
VPP：编程电源。
VCC：主电源。
图D-11 2716芯片引脚图
5.2764
（1）芯片介绍 2764是8KB 8字节的紫外线擦除、电可编程只读存储器，单一+5V供电，工作电流为75mA，维持电流为35mA，读出时间最大为250ns，28脚双列直插式封装。
（2）引脚说明（图D-12）
A0～A12：13根地址线，可寻址8KB。
O0～O7：数据输出线。
：片选线。
：为数据输出选通线。
PGM：编程脉冲输入端。
VPP：编程电源。
VCC：主电源，一般为+5V。
GND：接地引脚。
图D-12 2764芯片引脚图
6.27256
（1）芯片介绍 27256是32KB 8字节的紫外线擦除、电可编程只读存储器，单一+5V供电，工作电流为100mA，维持电流为40mA，读出时间最大为250ns，28脚双列直插式封装。
（2）引脚说明（图D-13）
A0～A14：15根地址线，可寻址32KB。
O0～O7：数据输出线。
：片选线。
：数据输出选通线/编程电源。
VCC：主电源，一般为+5V。
GND：接地引脚。