2.6.2  TMOSFET

图2.18c所示的TMOSFET（Trench MOSFET，沟槽型MOSFET）大幅改善了DMOSFET的缺点。在基板上挖槽并在它的侧面形成沟道，电流路径缩短，单位元器件所占面积格外小，这种结构意义非凡。由于MOSFET由数百个元器件并联构成，所以同样的基板面积可以填入更多的元器件，导通电阻也会下降。在实用方面，它对MOSFET的发展起到了极大的作用。(https://www.daowen.com)

当沟道上被施加栅极电压时，MOSFET可以双向通电，又由于寄生体二极管的存在，所以作为开关器件来讲，其端子电压电流特性是有特色的。为此，开发了被称为同步控制的特殊控制技术，它的特性将在8.1节进行详细说明。