2.10.4  异常电流保护

IPM的出现对于IGBT来说，异常电流已不是多大的问题，但对晶闸管系列的装置等而言，异常电流现在依然是重要问题。由于晶闸管没有电流阻断能力，所以只有基于熔断器的保护方法。但因为熔断器的性能不高，所以说它是保护器件还不如以它作为预防故障对策的意义更大一些。(https://www.daowen.com)

像GTO那样具有自我阻断能力的器件，也有可能利用门极驱动来高速阻断而实现保护，该情况下需要有故障电流快速检测等外围技术的支持。

此外，对于晶闸管那样在大面积半导体基板上形成单一器件的场合，由于门极电流的注入而使其导通时，导通区域从门极电极附近逐渐扩大，如果在开始后立刻有过大的负载电流流通，则该电流会在导通区域集中流动，从而导致开关器件损坏。对于这样的场合，必须与晶闸管串联接入阳极电抗器（anode reactor）来抑制电流的上升速率di/dt。