8.1.1  MOSFET端电压及电流特性

当栅极施加正向电压时，MOSFET处于导通状态，其n通道可以双向导通（参考图2.17）。由于体二极管的存在，其端子的电压电流特性如图8.1所示。图8.1a表示耐高压（500V等级）MOSFET的特性，栅极电压V_G=10V，此时处于导通状态。当V_DS>0时，约有85mΩ的通态电阻。但是，在V_DS<0的反向电压范围内，受寄生体二极管电流（V_G=0时所表示的曲线）的影响，当V_DS<-0.8V时（体二极管的偏置电压为0.7V），-I_D的值急剧上升，这是由于流入体二极管的电流增大造成的，受此开关特性的影响^[1]，因此不使用V_DS<0的反向电压范围。(https://www.daowen.com)

另一方面，图8.1b表示耐低压（50V等级）的MOSFET特性，在V_G=10V时约有5mΩ左右的较小通态电阻，所以，在反向电压正常工作时，体二极管中几乎没有电流，同步控制装置可以利用此特性。