2.7.1  沟槽型IGBT

IGBT的进一步改良与MOSFET的情况一样使其为沟槽型。图2.20所示为它的结构，这是在TMOSFET的漏极端子侧追加了p型半导体的结构。TMOSFET的优点同时被继承，即正向压降显著降低，并有助于提高耐压。图2.20b所示为2400A、1700V耐压沟槽型IGBT（Trench-Gated IGBT，TIGBT）的电压电流特性。集电极电流上升点的正向压降被降低到1V以下，pin二极管电流上升点的电压（偏置电压）大约为0.7V，理论上IGBT正向压降的界限值是pin二极管和一个MOSFET形成的串联电路的压降值，因此它已相当接近理论值。(https://www.daowen.com)

图2.20 TIGBT的器件结构及改善的电压电流特性

目前，各个厂家都在进行关于进一步改良n-基础层中注入少数载流子（空穴）分布方面的研究，发布了IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor，电子注入增强栅晶体管）或者CSTBT（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor，载流子存储沟槽栅双极晶体管）等开关器件。因此，正向压降和耐压间的折中问题得到了解决。现在，容量为4500V、2600A等级，关断时间只有几μs的器件也可以制造出来，主要应用于大容量高电压的装置中。