3.9.2　Flash型数据存储器设计与应用

NOR和NAND是市场上两种主要的非易失闪存技术。NOR Flash存储器是Flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NOR Flash存储器具有容量较大、改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡和体积小巧的U盘等。

NOR与NAND的区别如下：

Flash闪存是非易失存储器，可以对存储器单元块进行擦写和再编程。任何Flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

由于擦除NOR器件时是以64～128 KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5 ms，与此相反，擦除NAND器件是以8～32 KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4 ms。

执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须考虑各项因素。

由于飞行器载荷复杂性和数据存储的需求，要求Flash的容量和读写速度不断提高；同时作为存储类器件，工作电压适应处理器的需求不断降低，从而达到低功耗要求。