3.9.3　SRAM型数据存储器设计与应用

静态随机存取存储器（SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面存储的数据就可以恒常保持。相对来说，动态随机存取存储器（DRAM）里面所存储的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM存储的数据还是会消失，这与在断电后还能存储资料的ROM或闪存是不同的。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。SRAM主要用于二级高速缓存（Level2Cache），它利用晶体管来存储数据。与DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面积中SRAM的容量要比其他类型的内存小。

SRAM的速度快但昂贵，一般用小容量的SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM之间的缓存。SRAM也有许多种，如AsyncSRAM（asynchronous SRAM，异步SRAM）、Sync SRAM（synchronous SRAM，同步SRAM）、PBSRAM（pipelined burst SRAM，流水式突发SRAM），还有Intel公司没有公布细节的CSRAM等。

我国目前主要的航天用集成电路研究单位已研制出相应兼容的SRAM和产品，国产化航天用SRAM产品的设计研发水平能满足目前型号应用需求。

2019年以前，根据型号研制需求，结合国外对我国SRAM的禁运政策以及国内研制水平，发展高性能、大容量SRAM产品尤为重要；国产元器件欧比特等厂商已有产品应用于部分型号，初步满足自主可控需求。目前发展下一代以高性能、大容量为主导的新一代存储器，在功能、性能、体积、重量和功耗等多个方面全面提升，向更高性能、具有自主可控的国产化存储器转型做好了充分准备。