六、IGBT

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）是由BJT和MOS场效应晶体管组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件，其外形与电路符号如图2-40所示。IG-BT在微波炉中经常有应用，如RE0210KJ、RE0110KJ等。

图2-40 IGBT外形及电路符号

微波炉大功率IGBT内部的漏极和源极之间一般装有快恢复二极管，检测时，先将IGBT 3个电极短接，用指针式万用表R×1k挡测量，若有一次测量时电阻值为数千欧，则黑表笔接的是源极（S），红表笔接的是漏极（D）。然后再用R×10k挡测量，黑表笔接漏极（D），红表笔接源极（S），同时用手接触IGBT的栅极（G）和漏极（D），此时应有几十千欧的电阻值，再用手接触栅极（G）和源极（S），此时的电阻值应变为无穷大，反之，说明该IGBT性能不良或损坏。