15.1  简介

在应用于透明薄膜晶体管（TFT）的半导体材料中，金属氧化物半导体与硅半导体/有机物半导体相比，由于其较好的材料特性，包括它的带隙、透明度以及较高的场效应电子迁移率，引起了较多的关注。金属氧化物半导体能够满足高性能半导体有源层和柔性电子技术低温处理技术相结合的要求^[1-7]。金属氧化物半导体薄膜大多采用真空物理气相沉积技术制备。即使是在接近室温下沟道生长，氧化物半导体制备的TFT的电子迁移率仍可大于10（cm²/V）/s^[8，9]。这些半导体材料虽然被认为是制造TFT的新兴材料，在电子领域有一些非常规的应用，但是由于真空处理显著增加了制造成本，提高了技术要求，因此这种产品尚未能够作为一种较低廉的电子产品得到大面积应用。相反，溶液处理后的薄膜电晶体，通过涂层和打印技术相结合的卷绕过程，可以得到低成本的TFT阵列/电路^{[6，7，10-12]}。特别的，喷墨打印对半导体层有良好的选择沉积性，适合于晶体管的大面积打印^[12]。虽然有机半导体透明TFT的喷墨打印在文献^[13，14]中已被广泛的讨论，然而金属氧化物透明TFT的喷墨打印也是最近才得到了印证。在本章中，就金属氧化物透明TFT喷墨打印的几个基本问题进行了讨论。