15.6  小结

本章对金属氧化物晶体管的制备过程作了简要的概述。打印晶体管性能高度依赖于薄膜的形态，同时也依赖于半导体的电极和半导体-电介质接口的质量。半导体墨水应稳定地在源/漏极的中心进行精确地喷射沉积在应当润湿电极和电介质井的表面，以实现相干异构接口的形成。打印墨滴也应该通过基板的预热来进行干燥，以确保沟道层均匀，同时具有最佳的厚度。此外，喷墨打印金属氧化物晶体管与旋涂的相比，具有较大的阈值电压偏移。微观结构分析表明，偏移压力的不稳定性可以归因于在喷墨打印的沟道层，存在着更高浓度的纳米孔隙。喷墨打印的全透明氧化物晶体管也可印证这一点。溶胶凝胶衍生的ZnO材料的电性能，可通过金属、半导体的掺杂，并控制掺杂量和掺杂类型来控制。ZnO系电极和半导体的集成可以解决接触的问题。在ZIO电极退火时，铟扩散入ZTO通道，提高了电荷载流子浓度，这有助于在较低的接触阻力下形成良好的电接触。喷墨打印的金属氧化物半导体可以降低过程中的温度并改善设备的性能，这很可能使这种氧化物薄膜得到广泛应用。在未来，喷墨打印的全金属氧化物也许可以实现透明的、柔性氧化物器件的制备。