5.1.6 主要参数
（1）电流放大倍数
晶体管的电流放大倍数有直流电流放大倍数和交流电流放大倍数。晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值称为晶体管的直流电流放大倍数，用β（或hFE）表示，即
晶体管集电极电流变化量ΔIC与基极电流变化量ΔIB的比值称为交流电流放大倍数，用β（或hfe）表示，即
上面两个电流放大倍数的含义虽然不同，但两者近似相等，故在以后应用时一般不加区分。晶体管的β值过小，电流放大作用小，β值过大，晶体管的稳定性会变差，在实际使用时，一般选用β在40～80的管子较为合适。
（2）穿透电流ICEO
穿透电流又称集电极-发射极反向电流，它是指在基极开路时，给集电极与发射极之间加一定的电压，由集电极流往发射极的电流。穿透电流的大小受温度的影响较大，晶体管的穿透电流越小，热稳定性越好，通常锗管的穿透电流较硅管的要大些。
（3）集电极最大允许电流ICM
当晶体管的集电极电流IC在一定的范围内变化时，其β值基本保持不变，但当IC增大到某一值时，β值会下降。使电流放大倍数β明显减小（约减小到2/3）的IC电流称为集电极最大允许电流。晶体管用作放大时，IC电流不能超过ICM。
（4）击穿电压UBR（CEO）
击穿电压UBR（CEO）是指基极开路时，允许加在集电极-发射极之间的最高电压。在使用时，若晶体管集电极-发射极之间的电压UCE＞UBR（CEO），集电极电流IC将急剧增大，这种现象称为击穿。击穿的晶体管属于永久损坏，故选用晶体管时要注意其反向击穿电压不能低于电路的电源电压，一般晶体管的反向击穿电压应是电源电压的两倍。
（5）集电极最大允许功耗PCM
晶体管在工作时，集电极电流流过集电结时会产生热量，从而使晶体管温度升高。在规定的散热条件下，集电极电流IC在流过晶体管集电极时允许消耗的最大功率称为集电极最大允许功耗PCM。当晶体管的实际功耗超过PCM时，温度会上升很高而烧坏。晶体管散热良好时的PCM较正常时要大。
集电极最大允许功耗PCM可用下面的公式进行计算：
PCM=ICUCE
晶体管的IC电流过大或UCE电压过高，都会导致功耗过大而超出PCM。晶体管手册上列出的PCM值是在常温（25℃）时测得的。硅管的集电结上限温度为150℃左右，锗管为70℃左右，使用时应注意不要超过此值，否则管子将损坏。
（6）特征频率fT
在工作时，晶体管的放大倍数β会随着信号的频率升高而减小。使晶体管的放大倍数β下降到1的频率称为晶体管的特征频率。当信号频率f等于fT时，晶体管对该信号将失去电流放大功能，信号频率大于fT时，晶体管将不能正常工作。