10.2.1  增强型MOS管

10.2.1 增强型MOS管

1.外形与符号

增强型MOS管分为N沟道MOS管和P沟道MOS管，增强型MOS管实物外形与电路符号如图10-2所示。

图10-2 增强型MOS管实物外形与电路符号

2.结构与原理

增强型MOS管有N沟道和P沟道之分，分别称为增强型NMOS管和增强型PMOS管，其结构与工作原理基本相似，在实际中增强型NMOS管更为常用。下面以增强型NMOS管为例来说明增强型MOS管的结构与工作原理。

（1）结构

增强型NMOS管的结构与电路符号如图10-3所示。

图10-3 增强型NMOS管的结构与电路符号

增强型NMOS管是以P型硅片作为基片（又称衬底），在基片上制作两个含很多杂质的N型材料，再在上面制作一层很薄的二氧化硅（SiO₂）绝缘层，在两个N型材料上引出两个铝电极，分别称为漏极（D）和源极（S），在两极中间的二氧化硅绝缘层上制作一层铝制导电层，从该导电层上引出电极称为栅极（G）。P型衬底和D极连接的N型半导体会形成二极管结构（称之为寄生二极管），由于P型衬底通常与S极连接在一起，所以增强型NMOS管又可用图10-3b所示的符号表示。

（2）工作原理

（续）

增强型绝缘栅场效应晶体管具有特点是：在G、S极之间未加电压（即U_GS=0）时，D、S极之间没有沟道，I_D=0；当G、S极之间加上合适电压（大于开启电压U_T）时，D、S极之间有沟道形成，U_GS电压变化时，沟道宽窄会发生变化，I_D电流也会变化。

对于N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管，G、S极之间应加正电压（即U_G>U_S，U_GS=U_G-U_S为正电压），D、S极之间才会形成沟道；对于P沟道增强型绝缘栅场效应晶体管，G、S极之间须加负电压（即U_G<U_S，U_GS=U_G-U_S为负电压），D、S极之间才有沟道形成。

3.检测

（1）电极检测

正常的增强型NMOS管的G极与D、S极之间均无法导通，它们之间的正、反向电阻均为无穷大。在G极无电压时，增强型NMOS管D、S极之间无沟道形成，故D、S极之间也无法导通，但由于D、S极之间存在一个反向寄生二极管，如图10-3b所示，所以D、S极反向电阻较小。

（2）好坏检测