10.2.2  耗尽型MOS管

1.电路符号

耗尽型MOS管也有N沟道和P沟道之分。耗尽型MOS管的实物外形与电路符号如图10-4所示。

图10-4 耗尽型MOS管的实物外形与电路符号

2.结构与原理

P沟道和N沟道的耗尽型场效应晶体管工作原理基本相同，下面以N沟道耗尽型MOS管（简称耗尽型NMOS管）为例来说明耗尽型NMOS管的结构与原理。

耗尽型绝缘栅型场效应晶体管具有特点是，在G、S极之间未加电压（即U_GS=0）时，D、S极之间就有沟道存在，I_D不为0；当G、S极之间加上负电压U_GS时，如果U_GS电压变化，沟道宽窄会发生变化，I_D电流就会变化。

在工作时，N沟道耗尽型绝缘栅型场效应晶体管G、S极之间应加负电压，即U_G＜U_S，U_GS=UG^-US为负电压；P沟道耗尽型绝缘栅型场效应晶体管G、S极之间应加正电压，即U_G＞U_S，U_GS=U_G-U_S为正压。