10.3.2  工作原理

图10-5中的IGBT是由PNP型晶体管和N沟道MOS管组合而成，这种IGBT称为N-IGBT，用图10-5d所示电路符号表示，相应的还有P沟道IGBT，称为P-IGBT，将图10-5d符号中的箭头改为由E极指向G极即为P-IGBT的电路符号。