【数据与结果】

1.测绘VH-IS曲线并求样品霍尔灵敏度KH和霍尔系数RH

在IM0=0.500A 条件下，1.50～3.50mA 范围改变IS，测量对应的VH，数据填入表12-1。以IS为横轴，VH为纵轴，绘制VH-IS图，用图解法由直线斜率K 计算样品霍尔灵敏度KH和霍尔系数RH。

记录电磁铁线包上的β 值（β=B/IM），IM0=0.500A 的电磁铁中心均匀磁场B0=βIM0，则样品霍尔灵敏度KH=k/B0，霍尔系数RH=KHd，本实验霍尔片的d=0.5mm。

表2-26　测绘VH-IS实验曲线数据记录表（IM0=0.500A，β=T/A）

2.测量样品半导体的电导率σ

在零磁场下（IM=0），IS=2.00mA 时测量VAC（即Vσ）值，本实验霍尔片的d=0.5mm，b=4.0mm，lAC=3.0mm，由式（2-68）计算样品电导率σ。

3.测量单边水平方向磁场分布

以电磁铁铁芯中间均匀磁场中心为相对零点位置（X=0），在IS0=2.00mA，IM0=0.500A 测试条件下，试样在电磁铁铁芯间隙不同位置X 处测量霍尔电压VH，数据填入表2-27，然后计算水平方向磁场B测。

注意：测量时X 位置应取不等步长，即中心均匀磁场以内区域步长大些，测2个点差不多了；均匀磁场与非均匀磁场临界处测1个点；非均匀磁场区域步长小些（取3mm），多测几个点。思考怎样判断均匀磁场区域？

对测量数据作B测-X 图，横轴X，纵轴B测，另半边作图时对称补足，在电磁铁中心均匀磁场范围B测与B0进行比较。

表2-27　电磁铁水平方向磁场测量（IS0=2.00mA，IM0=0.500A）

续表