脱开区控制寄存器（Trip-Zone Control Register，TZCTL）
2025年09月26日
18.脱开区控制寄存器
（Trip-Zone Control Register，TZCTL）
位15～12，保留位。
位11～10，DCBEVT2：数字比较输出B事件2在EPWMxB的动作。
●00：强制（EPWMxB为高阻态）。
●01：强制EPWMxB为高状态。
●10：强制EPWMxB为低状态。
●11：无动作，禁止脱开动作。
位9～8，DCBEVT1：数字比较输出B事件1在EPWMxB的动作。
●00：强制（EPWMxB为高阻态）。
●01：强制EPWMxB为高状态。
●10：强制EPWMxB为低状态。
●11：无动作，禁止脱开动作。
位7～6，DCAEVT2：数字比较输出A事件2在EPWMxA的动作。
●00：高阻（EPWMxA为高阻态）。
●01：强制EPWMxA为高状态。
●10：强制EPWMxA为低状态。
●11：无动作，禁止脱开动作。
位5～4，DCAEVT1：数字比较输出A事件1在EPWMxA的动作。
●00：强制EPWMxA为高阻态。
●01：强制EPWMxA为高状态。
●10：强制EPWMxA为低状态。
●11：无动作，禁止脱开动作。
位3～2，TZB：当一个脱开事件发生时，如何控制ePWMxB输出信号，哪个引脚产生的脱开事件由TZSEL寄存器确定。
●00：强制ePWMxB为高阻态。
●01：强制ePWMxB为高电平。
●10：强制ePWMxB为低电平。
●11：什么也不做。
位1～0，TZA：当一个脱开事件发生时，如何控制ePWMxA输出信号，哪个引脚产生的脱开事件由TZSEL寄存器确定。
●00：强制ePWMxA为高阻态。
●01：强制ePWMxA为高电平。
●10：强制ePWMxA为低电平。
●11：什么也不做。