苏州赛芯电子科技有限公司诉深圳裕昇科技有限公司等侵害集成电路布图设计专有权纠纷案
案情聚焦
苏州赛芯电子科技有限公司（以下简称赛芯公司）是名称为“集成控制器与开关管的单芯片负极保护的锂电池保护芯片”的集成电路布图设计专有权人，布图设计登记号为BS.12500520.2，布图设计创作完成日为2011年8月1日，首次投入商业利用日为2011年12月20日，申请日为2012年4月22日，颁证日为2012年6月8日。
2015年，赛芯公司以侵犯其涉案集成电路布图设计专有权为由向深圳市中级人民法院提起诉讼，请求判令裕昇公司、户财欢立即停止复制、销售侵害涉案集成电路布图设计专有权的产品，共同赔偿赛芯公司经济损失及合理维权费用人民币100万元等。一审法院针对被诉的JA5088集成电路产品的布图设计与赛芯公司BS.12500520.2集成电路布图设计是否相同或实质相同，委托司法鉴定机构进行了技术比对鉴定，由于赛芯公司向登记机关提交的图样不清晰，鉴定机构采用赛芯公司备案的芯片的剖片（以下简称登记芯片）与JA5088集成电路产品的剖片（以下简称被诉芯片）进行比对。
国家知识产权局备案的涉案集成电路布图设计图样共20张，A4纸，分别为集成电路布图设计登记申请表、简要说明、目录、1.总图（包含所有层）、2.ACT层、3.DeepNwell层、4.Nwell层、5.Pwell层、6.GATE层、7.SAB层、8.NPLUS层、9.PPLUS层、10.Contact层、11.Metal1层、12.MV1层、13.Metal2层、14.MV2层、15.Metal3层、16.Passivation层、17.HighR层。专有权人提供的“6个独创点内容”包括：（1）单个NMOS与锂电池控制电路布图于同一晶圆衬底上。（2）本案布图设计中的实现单功率NMOSMo的衬底切换的衬底切换电路。（3）衬底切换MOS管Mc和Mf均匀镶嵌到功率NMOS管Mo内。（4）本案布图设计中衬底切换MOS管Mc，Mf与功率NMOS管Mo大小比例，Mc∶Mo∶Mf大小的比例在1∶4∶1至1∶12∶1之间。（5）控制电路中，只有一个NMOS管，该NMOS管只有一个栅极信号由内部控制电路中的栅极控制电路给出，这个栅极信号与衬底切换电路匹配。（6）本案布图设计包含有过温保护电路，且过温保护电路与NMOS布图于同一晶圆衬底上。
《司法鉴定意见书》认定被诉侵权的布图设计与涉案布图设计中主张的独创点4对应的布图设计相同，独创点1、2、3、4、6对应的布图设计实质相同。涉案布图设计中主张的独创点1、2、3、4、5、6对应的布图设计具有独创性。一审法院经审理后认定被告侵犯了原告的集成电路布图设计权，裕昇公司在判决生效之日起十日内赔偿赛芯公司经济损失人民币50万元，户财欢等对上述赔偿金额承担连带责任。
被告不服一审判决，向最高人民法院提起上诉，二审判决维持原判。
律师评析
本案是最高人民法院知识产权法庭审理的首例侵犯集成电路布图设计专有权纠纷案，其中明确了集成电路布图设计的保护范围和侵权比对方法等法律规则，对后续审理类似案件提供了可供参照的裁判标准。
1.对集成电路布图设计的独创性及登记程序要求
根据《集成电路布图设计保护条例》第4条的规定，受保护的布图设计应当具有独创性，即该布图设计是创作者自己的智力劳动成果，并且在其创作时该布图设计在布图设计创作者和集成电路制造者中不是公认的常规设计。受保护的由常规设计组成的布图设计，其组合作为整体应当符合前款规定的条件。
我国法律采用专门法的形式对集成电路布图设计权进行保护，既不同于著作权法下对作品的保护，也不同于专利法下对专利权的保护，布图设计需满足“独立创作+非常规设计/非常规组合”的基本要求，是可获得法律保护的前提条件。
诉讼中，如果被控侵权人对布图设计的独创性提出质疑，首先要求权利人对其主张的独创性部分进行充分说明或初步证明，然后由被诉侵权人就不具有独创性提出相反证据，在综合考虑上述事实、证据的基础上进行判断。
根据《集成电路布图设计保护条例》第8条的规定，布图设计专有权经国务院知识产权行政部门登记产生。未经登记的布图设计不受本条例保护。因此，只有经过法定的登记程序，才能产生法律赋予的保护效果。
2.集成电路布图设计的保护范围
布图设计专有权保护的是具有独创性的集成电路中元件和线路的三维配置，任何具有独创性的部分均受法律保护，而不论其在整体设计中是否占有主要部分，是否能够实现整体设计的核心性能；既可以体现在布图设计任何具有独创性的部分中，也可以体现在布图设计整体中。同时，受保护的独创性部分还应能够相对独立地执行某种电子功能。
根据该条例第16条以及《集成电路布图设计保护条例实施细则》第14条的相关规定，申请人需要向国家知识产权局提交布图设计的复制件或者图样，并可志愿提交复制件或图样的电子文档（电子文档应当包含该布图设计的全部信息）；布图设计已投入商业利用的，提交含有该布图设计的集成电路样品。在样品与复制件或图样的纸件具有一致性的前提下，可以根据案件审理需要采用样品剖片，提取其中的三维配置信息，确定纸件中无法识别的布图设计细节，用以确定布图设计的内容。
3.集成电路布图设计的侵权比对方法
根据该条例规定，未经布图设计权利人许可，复制受保护的布图设计的全部或者其中任何具有独创性的部分的，或者为商业目的进口、销售或者以其他方式提供受保护的布图设计、含有该布图设计的集成电路或者含有该集成电路的物品的，即构成侵权行为，行为人应立即停止侵权，并承担赔偿责任。因此需要审查被诉侵权芯片与涉案布图设计中具有独创性的对应设计是否构成相同或者实质性相同。
本案中，针对权利人提出的6点具有独创性设计的内容，法庭委托鉴定机构对两者是否构成相同或实质性相同进行了技术鉴定。根据《司法鉴定意见书》的记载及鉴定人出庭所作陈述，实质性相同的判断原则目前没有法定标准，鉴定意见掌握的原则是考虑布图的相对位置、大小、形状、数量结合业内普通技术人员对集成电路布图设计的认识水平作出判断。如果不考虑区间范围，被诉侵权芯片的比例与涉案布图设计的样品比例，两者基于上述原则属于实质相同。法庭在整体考虑独创点1—4所涉布图设计基础上，认定被诉侵权芯片的相应部分的布图设计与赛芯公司提出的独创点1—4所涉布图设计构成实质相同。