9.5.2  化学气相沉积（CVD）

化学气相沉积与物理气相沉积根本不同的是沉积粒子来源于化合物的气相分解反应。化学气相沉积是在相当高的温度下，混合气体与基体表面相互作用，使混合气体中的某些成分分解，并在基体上形成一种金属或化合物的固态薄膜或镀层，是用化学方法使反应气体在模具基材表面发生化学反应形成覆盖层的方法。

化学气相沉积的反应温度为900～2000℃，取决于沉积物的特性。中温化学气相沉积（MTCVD）的典型反应温度为500～800℃，通过金属有机化合物在较低的温度分解来实现，所以又称为金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）。(https://www.daowen.com)