1992年

中国第一根电路级硅单晶拉制成功 硅单晶是呈单晶体的半导体硅材料。它按工艺方法可分为直拉硅单晶（CZ-Si）、区熔硅单晶（FZ-Si）、磁拉硅单晶（MCZ-Si）；按用途可分为电路级硅单晶、探测器级硅单晶等。1918年，波兰科学家柴可拉斯基（Czochralski）发明了直拉晶体生长技术。1955—1965年，商业化硅单晶的生产促进了集成电路产业的发展。1979年，上海有色金属研究所自行设计制造了中国第一台DL-78型大容量大直径硅单晶炉。1980年，上海第二冶炼厂等单位试制成功NTD区熔硅单晶。1982年，上海第二冶炼厂引进美国的CG-2000RC型直拉硅单晶炉，拉制出了直径为125毫米的硅单晶。1992年10月24日，中国第一根直径150毫米、重32千克的电路级硅单晶在北京国家半导体工程中心拉制成功，这标志着中国超大规模集成电路用基础材料的生产取得重大突破。

日本建造第一艘超导船下水试航 1911年，荷兰物理学家卡昂内斯（Onnes，Heike Kamerlingh 1853—1926）发现将汞冷却到-268.98℃时，汞的电阻突然消失。后来，他又发现许多金属和合金都具有与汞相类似的低温下失去电阻的特性，他称之为“超导态”。他因这一发现获得了1913年诺贝尔物理学奖。1935年，德国人伦敦兄弟提出了超导电性的电动力学理论。1986年，美国国际商用机器公司的科学家柏诺兹（Bednorz，J.G.1950—　）和缪勒（Müller，K.A.1927—　）首先发现钡镧铜氧化物是高温超导体。1987年，北京大学成功地用液氮进行超导磁悬浮实验。同年，日本铁道综合技术研究所的“MLU002”号磁悬浮实验车开始试运行。1991年，日本住友电气工业公司展示了世界上第一个超导磁体。同年，日本原子能研究所和东芝公司共同研制成核聚变堆用的新型超导线圈。1992年，日本船舶和海洋基金会建造了第一艘超导船“大和”1号在日本神户下水试航。超导船由船上的超导磁体产生强磁场，船两侧的正负电极使水中电流从船的一侧向另一侧流动，磁场和电流之间的洛伦兹力驱动船舶高速前进。这种船舶可能引发船舶工业的一次革命。同年，美国建成了以巨型超导磁体为主的超导超级对撞机特大型设备并投入使用。2001年，清华大学研制并建成了第一条铋系高温线材生产线。同年，香港科技大学成功开发出全球最细的纳米超导线。